个人及工作简历
5822yh银河国际应用物理系教授，硕士生导师。入选2023年度世界排名前2%科学家名单。西安交通大学凝聚态物理专业博士毕业，日本东北大学和大阪大学博士后研究员。
教学工作
先后主讲本科生课程：《大学物理》、《大学物理实验》和《计算物理》
科研工作
近年来关注于第一性原理高通量计算及机器学习相关算法程序实现以及在新型功能材料物性计算方面的应用。以第一作者或（共同）通讯作者在Advanced Functional Materials、Journal of Physical Chemistry Letters、Physical Review B、Computer Physics Communications、Scripta Materialia等期刊发表论文近20篇。谷歌学术论文引用3800余次，H指数23。所发表论文中3篇他引过百次，单篇最高被引2000余次，2篇ESI高倍引论文和1篇ESI热点论文，1篇入选中国百篇最具影响国际学术论文（2021年）。主持国家自然科学基金面上项目和陕西省厅级等项目。
担任Nature Communications、Advanced Functional Materials、Acta Materialia等学术期刊审稿人。担任Frontiers in Physics和Journal of Physics: Condensed Matter期刊客座主编。
所主导开发具有自主产权的第一原理高通量材料物性分析软件VASPKIT(官网https://vaspkit.com)。该程序目前已被美国、中国、德国和日本等80多个国家的万余名研究者使用，包括来自哈佛大学、普林斯顿大学、加州大学伯克利分校，剑桥大学及东京大学等世界名校的师生。下载超过2000次/月，他引超过100次/月，已产生十分广泛的影响力。该软件论文自2021年10月发表至今被Nature、Science、Nature Physics、Nature Materials、Nature Chemistry、Nature Photonics和Nature Catalysis等期刊引用2400余次（谷歌学术）。
代表作论文:
[1]V. Wang*, G. Tang, Y.C. Liu, R.T. Wang, H. Mizuseki, Y. Kawazoe, W.T. Geng.High-Throughput Computational Screening of Two-Dimensional Semiconductors.J. Phys. Chem. Lett.13, 11581 (2022)
[2]V. Wang*, N. Xu, J.C. Liu, G. Tang, W.T. Geng.VASPKIT:AUser-FriendlyInterface FacilitatingHigh-Throughput Computing and Analysis Using VASP code,Comput. Phys. Commun.267, 108033 (2021) [入选ESI热点论文、高被引论文和2021年度中国百篇最具影响国际学术论文，位居2018－2022年物理学领域研究论文中获得引用数最多的中国学者论文第4名]
[3]V. Wang*, Y.C. Liu, Y. Kawazoe and W.T. Geng.Role of Interlayer Coupling on the Evolution of Band Edges in Few-Layer Phosphorene.J. Phys. Chem. Lett.6, 4876 (2015)
[4]V. Wang*, Y. Kawazoe, W.T. Geng.Native Point Defects in Few-Layer Phosphorene.Phys. Rev. B91, 045433 (2015) [入选ESI高被引论文]
[5] S. Li, S.G. Zhao, H.Q. Chu, Y. Gao, P. Lv,V. Wang*, G. Tang, J.W. Hong.Unraveling the Factors Affecting the Mechanical Properties of Halide Perovskites from First-Principles Calculations.J. Phys. Chem. C.126, 4715 (2022)
[6] Y.C. Liu, H.B Niu, J.B. Lin,V. Wang*. Group theory analysis of phonons in monolayer chromium trihalides and their Janus structures.Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 28465(2022)
[7]V. Wang*, W.T. Geng.Lattice Defects and the Mechanical Anisotropy of Borophene.J. Phys. Chem. C.121, 10224 (2017)
[8]V. Wang*, W.T. Geng.TunableBand Gaps of InxGa1−xN Alloys: From Bulk to Two-Dimensional Limit.J. Phys. Chem. C.122, 6930 (2018)
[9] J.K. Geng, Z. Li, H.L. Dong, J.N. Xu,V. Wang*, Z.J. Feng, et al.Pressure Induced Unstable Electronic States upon Correlated Nickelates Metastable Perovskites as Batch Synthesized via Heterogeneous Nucleation.Adv. Funct. Mater.300,2000987 (2020)
[10] Z. Li, F.B. Yan, X.Y. Li, Y.C. Cui,V. Wang*, N.F. Chen, J.K. Chen.Molten-salt synthesis of rare-earth nickelate electronic transition semiconductors at medium high metastability.Scripta Mater.207, 114271 (2022)
[11]J.K. Geng, W. Mao, B.H. Ge, J.O. Wang, X.Y. Ke,V. Wang, Y.P. Wang, et al. a.Revealing the role of lattice distortions in the hydrogen-induced metal-insulator transition of SmNiO3.Nat. Commun..10, 694 (2019)
[12] W.T. Geng, J.B. Lin,V. Wang, Q. Gu, Q. Peng, T. Ohno, J. Nara.Displacement vorticity as the origin of moiré potentials in twisted WSe2/MoSe2bilayers.Matter6, 493 (2023)
[13] W.T. Geng,V. Wang, Y.C. Liu, T. Ohno, J. Nara.Moire Potential, Lattice Corrugation, and Band Gap Spatial Variation in a Twist-Free MoTe2/MoS2Heterobilayer.J. Phys. Chem. Lett.11, 2647 (2020)
*本人作为(共同)通讯作者
