个人及工作简历

李恩玲，陕西武功人，生于1965年12月，党员，博士，教授

(1) 2004-9至2008-3, 西安交通大学, 电子科学与技术, 博士

(2) 1995-9至1998-4, 5822yh银河国际, 微电子学与固体电子学, 硕士

(3) 1983-9至1987-7, 西北大学, 理论物理, 学士

(4) 2014-4至2015-3, 澳大利亚卧龙岗大学, 超导电子材料研究所, 访问学者

(5) 1999-10至2000-9, 日本福井大学, 工学部电子材料研究室, 访问学者

(6) 1987-7至现在, 5822yh银河国际, 5822yh银河国际物理系任教

教学工作

讲授本科生课程：“电动力学”

讲授研究生课程：“电磁场理论”、“计算电磁学”、“光电薄膜材料与薄膜技术”、“光电材料分析及测试方法”

科研工作

一维GaN材料的制备和场发射特性研究，二维类石墨烯材料的制备、设计和性能研究。目前，在国内外期刊上发表相关论文80多篇，其中SCI、EI检索70多篇，授权国家发明专利4项。近年主持完成国家自然科学基金项目1项，人事部出国留学回国人员项目1项，省、市级项目8项。1999年10月--2000年9月在日本福井大学工学部电子工程专业访学，研究用MOCVD法制备GaN基宽带隙半导体材料及应用；2014年4月--2015年3月在澳大利亚卧龙岗大学超导电子材料研究所访学，研究GaN纳米线的场发射和电学性能。